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Référence fabricant | IPL65R340CFDAUMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPL65R340CFDAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPL65R340CFDAUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 400µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 104.2W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Thin-Pak (8x8) |
Paquet / caisse | 4-PowerTSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL65R340CFDAUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPL65R340CFDAUMA1-FT |
IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R190E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R1K5CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R330P6XKSA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel