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Référence fabricant | IPL65R310E6AUMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPL65R310E6AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ E6 |
IPL65R310E6AUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13.1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 400µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 104W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Thin-Pak (8x8) |
Paquet / caisse | 4-PowerTSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL65R310E6AUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPL65R310E6AUMA1-FT |
IPA60R180C7XKSA1
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IPA60R180P7SXKSA1
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IPA60R180P7XKSA1
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IPA60R190C6XKSA1
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IPA60R190E6XKSA1
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