maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPL65R1K5C6SATMA1
Référence fabricant | IPL65R1K5C6SATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPL65R1K5C6SATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ C6 |
IPL65R1K5C6SATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 26.6W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Thin-PAK (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL65R1K5C6SATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPL65R1K5C6SATMA1-FT |
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R160C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R165CPX1SA4
Infineon Technologies
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R190E6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R190E6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R190P6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R199CPX1SA1
Infineon Technologies
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R280E6X1SA1
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel