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Référence fabricant | IPI100N04S4H2AKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPI100N04S4H2AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPI100N04S4H2AKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7180pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 115W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI100N04S4H2AKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI100N04S4H2AKSA1-FT |
IPW65R280E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R310CFDFKSA1
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IPW65R420CFDFKSA1
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IPW80R280P7XKSA1
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IPW90R120C3FKSA1
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IPW90R1K0C3FKSA1
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IPW90R1K2C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R340C3FKSA1
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IPW90R500C3FKSA1
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel