maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IPG20N06S415ATMA2
Référence fabricant | IPG20N06S415ATMA2 |
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Numéro de pièce future | FT-IPG20N06S415ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPG20N06S415ATMA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 25V |
Puissance - Max | 50W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPG20N06S415ATMA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPG20N06S415ATMA2-FT |
BUK9K22-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9K30-80EX
Nexperia USA Inc.
APTM100H45STG
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APTC60DSKM24T3G
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APTC60TAM35PG
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APTM100TA35FPG
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