maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPD70R360P7SAUMA1
Référence fabricant | IPD70R360P7SAUMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPD70R360P7SAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P7 |
IPD70R360P7SAUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 59.4W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD70R360P7SAUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPD70R360P7SAUMA1-FT |
IPD50N06S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S4L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
IPD50P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEBTMA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation