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Infineon Technologies IPD70R1K4P7SAUMA1

Name: IPD70R1K4P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70R1K4P7SAUMA1
Price: 0.215424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (470 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPD70R1K4P7SAUMA1

quantité disponible: 86560 Pièces

Prix de référence: USD 0.215424

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPD70R1K4P7SAUMA1.pdf

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IPD70R1K4P7SAUMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPD70R1K4P7SAUMA1
Numéro de pièce future	FT-IPD70R1K4P7SAUMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™ P7
IPD70R1K4P7SAUMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	158pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	23W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD70R1K4P7SAUMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPD70R1K4P7SAUMA1-FT

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