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Infineon Technologies IPD65R660CFDBTMA1

Numéro de pièce MFG
IPD65R660CFDBTMA1
quantité disponible
90130 Pièces
Prix de référence
USD 0.558832
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 6A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPD65R660CFDBTMA1.pdf
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IPD65R660CFDBTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPD65R660CFDBTMA1
Numéro de pièce future FT-IPD65R660CFDBTMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™
IPD65R660CFDBTMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD65R660CFDBTMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPD65R660CFDBTMA1-FT

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