maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPD30N12S3L31ATMA1
Référence fabricant | IPD30N12S3L31ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPD30N12S3L31ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
IPD30N12S3L31ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD30N12S3L31ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPD30N12S3L31ATMA1-FT |
IPB80R290C3AATMA1
Infineon Technologies
IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
IPC014N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC020N10L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC022N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC028N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC042N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC045N10L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC045N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC055N03L3X1SA1
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel