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Infineon Technologies IPD30N10S3L34ATMA1

Name: IPD30N10S3L34ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N10S3L34ATMA1
Price: 0.329928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (574 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPD30N10S3L34ATMA1

quantité disponible: 79650 Pièces

Prix de référence: USD 0.329928

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPD30N10S3L34ATMA1.pdf

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IPD30N10S3L34ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPD30N10S3L34ATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPD30N10S3L34ATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPD30N10S3L34ATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 29µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1976pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	57W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD30N10S3L34ATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPD30N10S3L34ATMA1-FT

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