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Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA4
- Numéro de pièce MFG
- IPD30N06S2L13ATMA4
- quantité disponible
- 69900 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.416168
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IPD30N06S2L13ATMA4.pdf
IPD30N06S2L13ATMA4 Caractéristiques
| Référence fabricant | IPD30N06S2L13ATMA4 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IPD30N06S2L13ATMA4 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | OptiMOS™ |
| IPD30N06S2L13ATMA4 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3-11 |
| Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPD30N06S2L13ATMA4 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IPD30N06S2L13ATMA4-FT |
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