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Référence fabricant | IPB80P03P4L07ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB80P03P4L07ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB80P03P4L07ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | +5V, -16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 88W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80P03P4L07ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB80P03P4L07ATMA1-FT |
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P7ATMA1
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IPB60R299CPAATMA1
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IPB60R299CPATMA1
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Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
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EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
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EP20K60EFC324-1
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EP2S60F1020C5
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