maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPB80N06S4L07ATMA1
Référence fabricant | IPB80N06S4L07ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPB80N06S4L07ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB80N06S4L07ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5680pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 79W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S4L07ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB80N06S4L07ATMA1-FT |
IPB60R190P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R230P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R250CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPATMA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel