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Référence fabricant | IPB65R310CFDAATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB65R310CFDAATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPB65R310CFDAATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 440µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 104.2W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R310CFDAATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB65R310CFDAATMA1-FT |
IPB120N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N08S403ATMA1
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XC3S400-5FTG256C
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XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation