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Référence fabricant | IPB600N25N3GATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB600N25N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB600N25N3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 25A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB600N25N3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB600N25N3GATMA1-FT |
BUK9C1R3-40EJ
NXP USA Inc.
BUK9C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK9C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK9C5R3-100EJ
NXP USA Inc.
IRF1324S-7PPBF
Infineon Technologies
IRF1324STRL-7PP
Infineon Technologies
IRF1405ZS-7P
Infineon Technologies
IRF1405ZSTRL-7P
Infineon Technologies
IRF1405ZSTRL7PP
Infineon Technologies
IRF2804S-7PPBF
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel