maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPB180P04P403ATMA1
Référence fabricant | IPB180P04P403ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPB180P04P403ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB180P04P403ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 17640pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-7-3 |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180P04P403ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB180P04P403ATMA1-FT |
IRL1104PBF
Infineon Technologies
IRL3102
Infineon Technologies
IRL3102PBF
Infineon Technologies
IRL3103D1
Infineon Technologies
IRL3103D1PBF
Infineon Technologies
IRL3103D2
Infineon Technologies
IRL3103D2PBF
Infineon Technologies
IRL3202PBF
Infineon Technologies
IRL3215
Infineon Technologies
IRL3302
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel