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Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA2

Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N06S4H1ATMA2
Price: 1.74932 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (703 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPB180N06S4H1ATMA2

quantité disponible: 57600 Pièces

Prix de référence: USD 1.74932

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPB180N06S4H1ATMA2.pdf

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IPB180N06S4H1ATMA2 Caractéristiques

Référence fabricant	IPB180N06S4H1ATMA2
Numéro de pièce future	FT-IPB180N06S4H1ATMA2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB180N06S4H1ATMA2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	21900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO263-7-3
Paquet / caisse	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB180N06S4H1ATMA2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPB180N06S4H1ATMA2-FT

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