maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPB180N04S4LH0ATMA1
Référence fabricant | IPB180N04S4LH0ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPB180N04S4LH0ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB180N04S4LH0ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 180µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 24440pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 250W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-7-3 |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180N04S4LH0ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB180N04S4LH0ATMA1-FT |
IRFZ46Z
Infineon Technologies
IRFZ46ZPBF
Infineon Technologies
IRFZ48Z
Infineon Technologies
IRFZ48ZPBF
Infineon Technologies
IRL1004
Infineon Technologies
IRL1104
Infineon Technologies
IRL1104PBF
Infineon Technologies
IRL3102
Infineon Technologies
IRL3102PBF
Infineon Technologies
IRL3103D1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel