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Infineon Technologies IPB180N04S4L01ATMA1

Numéro de pièce MFG
IPB180N04S4L01ATMA1
quantité disponible
42380 Pièces
Prix de référence
USD 1.098512
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH TO263-7
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IPB180N04S4L01ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPB180N04S4L01ATMA1
Numéro de pièce future FT-IPB180N04S4L01ATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB180N04S4L01ATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 140µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 245nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 19100pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 188W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-TO263-7-3
Paquet / caisse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB180N04S4L01ATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPB180N04S4L01ATMA1-FT

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