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Référence fabricant | IPB180N03S4L01ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB180N03S4L01ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB180N03S4L01ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 140µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 239nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 17600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 188W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-7-3 |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180N03S4L01ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB180N03S4L01ATMA1-FT |
IRFZ34NPBF
Infineon Technologies
IRFZ44E
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IRL1004
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IRL1104
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XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
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M2GL090-FGG484
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MPF300T-1FCG1152E
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EP3SL200F1517C2N
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5SGXMA3K2F35I3N
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XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
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MPM7128SQC100AC
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