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Infineon Technologies IPB156N22NFDATMA1

Name: IPB156N22NFDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB156N22NFDATMA1
Price: 3.066696 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (295 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPB156N22NFDATMA1

quantité disponible: 65970 Pièces

Prix de référence: USD 3.066696

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™FD MOSFET N-CH 220V TO263-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPB156N22NFDATMA1.pdf

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IPB156N22NFDATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPB156N22NFDATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPB156N22NFDATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™FD
IPB156N22NFDATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	220V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	72A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6930pF @ 110V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB156N22NFDATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPB156N22NFDATMA1-FT

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