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Référence fabricant | IPB017N08N5ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB017N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB017N08N5ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 223nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 375W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB017N08N5ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB017N08N5ATMA1-FT |
BUK7C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R1-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C4R5-100EJ
NXP USA Inc.
BUK7C5R4-100EJ
NXP USA Inc.
BUK9C1R3-40EJ
NXP USA Inc.
BUK9C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK9C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK9C5R3-100EJ
NXP USA Inc.
IRF1324S-7PPBF
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel