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Infineon Technologies IPAW60R180P7SXKSA1

Name: IPAW60R180P7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPAW60R180P7SXKSA1
Price: 1.616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (633 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPAW60R180P7SXKSA1

quantité disponible: 24340 Pièces

Prix de référence: USD 1.616

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPAW60R180P7SXKSA1.pdf

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IPAW60R180P7SXKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPAW60R180P7SXKSA1
Numéro de pièce future	FT-IPAW60R180P7SXKSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™ P7
IPAW60R180P7SXKSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 280µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1081pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	26W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO220 Full Pack
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPAW60R180P7SXKSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPAW60R180P7SXKSA1-FT

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