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Infineon Technologies IPA65R660CFDXKSA1

Name: IPA65R660CFDXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA65R660CFDXKSA1
Price: 0.820976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (41 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPA65R660CFDXKSA1

quantité disponible: 16140 Pièces

Prix de référence: USD 0.820976

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 6A TO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPA65R660CFDXKSA1.pdf

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IPA65R660CFDXKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPA65R660CFDXKSA1
Numéro de pièce future	FT-IPA65R660CFDXKSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™
IPA65R660CFDXKSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	615pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	27.8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO220 Full Pack
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA65R660CFDXKSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPA65R660CFDXKSA1-FT

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