maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPA60R199CPXKSA1
Référence fabricant | IPA60R199CPXKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPA60R199CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPA60R199CPXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 34W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R199CPXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPA60R199CPXKSA1-FT |
TK100A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK34A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK58A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK22A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK290A65Y,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25A60X5,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25A60X,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
R6011KNX
Rohm Semiconductor
R6015KNX
Rohm Semiconductor
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel