maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPA50R950CE
Référence fabricant | IPA50R950CE |
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Numéro de pièce future | FT-IPA50R950CE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPA50R950CE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 25.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA50R950CE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPA50R950CE-FT |
TK10A80E,S4X
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Rohm Semiconductor
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LAXP2-8E-5FTN256E
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A40MX04-3PL68I
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5SGSED8N2F45I2
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5SGXEBBR2H43I3L
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EPF10K10QC208-3N
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