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Infineon Technologies IPA50R190CE
- Numéro de pièce MFG
- IPA50R190CE
- quantité disponible
- 63540 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
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- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- CoolMOS™ MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IPA50R190CE.pdf
IPA50R190CE Caractéristiques
| Référence fabricant | IPA50R190CE |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IPA50R190CE |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | CoolMOS™ |
| IPA50R190CE Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18.5A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
| Caractéristique FET | Super Junction |
| Dissipation de puissance (max) | 32W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-FP |
| Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPA50R190CE Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IPA50R190CE-FT |
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