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Référence fabricant | IMS5SWDRU101K65 |
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Numéro de pièce future | FT-IMS5SWDRU101K65 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMS-5SWD-65 |
IMS5SWDRU101K65 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 325mA |
Courant - Saturation | 120mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 3.12 Ohm Max |
Q @ Freq | 52 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 10MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS5SWDRU101K65 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMS5SWDRU101K65-FT |
IM10RFCMBH3R3K13
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IM10RFCMBH3R9K13
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XC2V250-5FG256I
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LCMXO3LF-6900C-5BG324C
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A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
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5SGXMB6R2F43I3LN
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EP4SE530H40C3N
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LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
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EP4CE55F29I7
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EPF10K100EQC208-2X
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