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Référence fabricant | IMS5SWDBH1R2K65 |
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Numéro de pièce future | FT-IMS5SWDBH1R2K65 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMS-5SWD-65 |
IMS5SWDBH1R2K65 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 1.6A |
Courant - Saturation | 1.6A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 93 mOhm Max |
Q @ Freq | 46 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 130MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS5SWDBH1R2K65 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMS5SWDBH1R2K65-FT |
IM10RFCLBH330J12
Vishay Dale
IM10RFCLBH331J12
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IM10RFCLBH390J12
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IM10RFCLBH680J12
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel