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Référence fabricant | IMS5SWDBH120K65 |
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Numéro de pièce future | FT-IMS5SWDBH120K65 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMS-5SWD-65 |
IMS5SWDBH120K65 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 12µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 400mA |
Courant - Saturation | 400mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 44MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS5SWDBH120K65 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMS5SWDBH120K65-FT |
IM10RFCLBH1R8K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH220K12
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XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel