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Référence fabricant | IMS02WWDST1R0K40 |
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Numéro de pièce future | FT-IMS02WWDST1R0K40 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMS-2WWD-40 |
IMS02WWDST1R0K40 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Phenolic |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 1.26A |
Courant - Saturation | 1.26A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 208 mOhm Max |
Q @ Freq | 42 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 136MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02WWDST1R0K40 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMS02WWDST1R0K40-FT |
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel