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Référence fabricant | IMS02EB1R5K |
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Numéro de pièce future | FT-IMS02EB1R5K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMS-2 |
IMS02EB1R5K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 228mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 860 mOhm Max |
Q @ Freq | 41 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 115MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02EB1R5K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMS02EB1R5K-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2XN
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