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Référence fabricant | IMS02EB1R2K |
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Numéro de pièce future | FT-IMS02EB1R2K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMS-2 |
IMS02EB1R2K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 247mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 730 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 130MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02EB1R2K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMS02EB1R2K-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel