maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / IMH11AT110
Référence fabricant | IMH11AT110 |
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Numéro de pièce future | FT-IMH11AT110 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IMH11AT110 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | SMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMH11AT110 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMH11AT110-FT |
XP0421100L
Panasonic Electronic Components
XP0431100L
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PUML1,115
NXP USA Inc.
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XC2S100E-6TQ144C
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LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
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XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
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10AX115S3F45E2SG
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