maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / IMD10AMT1G
Référence fabricant | IMD10AMT1G |
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Numéro de pièce future | FT-IMD10AMT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IMD10AMT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 13 kOhms, 130 Ohms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 285mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-74R |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMD10AMT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMD10AMT1G-FT |
XP0421100L
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XP0431100L
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NXP USA Inc.
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XC3S1400AN-5FGG484C
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A42MX36-BG272I
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10M16DCF256I6G
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LFE2M50SE-7FN900C
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