maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IMC1812BN8R2J
Référence fabricant | IMC1812BN8R2J |
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Numéro de pièce future | FT-IMC1812BN8R2J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMC-1812 |
IMC1812BN8R2J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 270mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 25MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1812 (4532 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1812 |
Taille / Dimension | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.134" (3.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812BN8R2J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMC1812BN8R2J-FT |
IMS05ST822K
Vishay Dale
IMS05ST8R2K
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
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EP4SE530H40C3N
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LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
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EP4CE55F29I7
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EPF10K100EQC208-2X
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