maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IMC1812BN10NM
Référence fabricant | IMC1812BN10NM |
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Numéro de pièce future | FT-IMC1812BN10NM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMC-1812 |
IMC1812BN10NM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 10nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 450mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 50MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 1GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 50MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1812 (4532 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1812 |
Taille / Dimension | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.134" (3.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812BN10NM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMC1812BN10NM-FT |
IMS05SH821K
Vishay Dale
IMS05SH822K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel