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Référence fabricant | IMC1210ER10NK |
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Numéro de pièce future | FT-IMC1210ER10NK |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMC-1210 |
IMC1210ER10NK Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 10nH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 734mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 1GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 50MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER10NK Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMC1210ER10NK-FT |
IMC1210EB1R5J
Vishay Dale
IMC1210EB1R5K
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XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation