maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IMC1210EBR82J
Référence fabricant | IMC1210EBR82J |
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Numéro de pièce future | FT-IMC1210EBR82J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMC-1210 |
IMC1210EBR82J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 820nH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 450mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 670 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 140MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25.2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR82J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMC1210EBR82J-FT |
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Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation