maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IMC1210EBR18M
Référence fabricant | IMC1210EBR18M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IMC1210EBR18M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMC-1210 |
IMC1210EBR18M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 180nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 518mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 400MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25.2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR18M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMC1210EBR18M-FT |
IMC1210EB100J
Vishay Dale
IMC1210EB100K
Vishay Dale
IMC1210EB101J
Vishay Dale
IMC1210EB101K
Vishay Dale
IMC1210EB10NK
Vishay Dale
IMC1210EB10NM
Vishay Dale
IMC1210EB120J
Vishay Dale
IMC1210EB120K
Vishay Dale
IMC1210EB121J
Vishay Dale
IMC1210EB121K
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation