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Référence fabricant | IMC1210BNR39M |
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Numéro de pièce future | FT-IMC1210BNR39M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMC-1210 |
IMC1210BNR39M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 390nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 450mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 250MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25.2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BNR39M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMC1210BNR39M-FT |
IMC1210BN121J
Vishay Dale
IMC1210BN121K
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XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation