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Référence fabricant | IMC1210BN1R2J |
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Numéro de pièce future | FT-IMC1210BN1R2J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IMC-1210 |
IMC1210BN1R2J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 390mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 750 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN1R2J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMC1210BN1R2J-FT |
ISC1210SY270J
Vishay Dale
ISC1210SY270K
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ISC1210SY27NM
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LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
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10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
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EP4SGX180DF29C2XN
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