maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / IMB10AT110
Référence fabricant | IMB10AT110 |
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Numéro de pièce future | FT-IMB10AT110 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IMB10AT110 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | SMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMB10AT110 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IMB10AT110-FT |
XP0621300L
Panasonic Electronic Components
PUML1,115
NXP USA Inc.
XP0411100L
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XP0411200L
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XP0421200L
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EP20K30ETC144-3N
Intel
XC3S1500-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
10M40DCF256I7G
Intel
EP4CE22F17C9LN
Intel
5SGSMD5H3F35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
Intel