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Infineon Technologies IKB03N120H2ATMA1

Numéro de pièce MFG
IKB03N120H2ATMA1
quantité disponible
21390 Pièces
Prix de référence
USD 1.0124
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IKB03N120H2ATMA1.pdf
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IKB03N120H2ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IKB03N120H2ATMA1
Numéro de pièce future FT-IKB03N120H2ATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IKB03N120H2ATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 9.6A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 9.9A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
Puissance - Max 62.5W
Énergie de commutation 290µJ
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 22nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 9.2ns/281ns
Condition de test 800V, 3A, 82 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 42ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IKB03N120H2ATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IKB03N120H2ATMA1-FT

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