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Référence fabricant | IHSM7832ER2R2L |
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Numéro de pièce future | FT-IHSM7832ER2R2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHSM-7832 |
IHSM7832ER2R2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 8.4A |
Courant - Saturation | 3.6A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 14 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.840" L x 0.320" W (21.34mm x 8.13mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.285" (7.24mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM7832ER2R2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHSM7832ER2R2L-FT |
744040520047
Wurth Electronics Inc.
74404052010
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74404052012
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74404052022
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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744032003
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
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APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
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Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel