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Référence fabricant | IHSM5832ER2R7L |
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Numéro de pièce future | FT-IHSM5832ER2R7L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHSM-5832 |
IHSM5832ER2R7L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 8.4A |
Courant - Saturation | 3.7A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 17 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.285" (7.24mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER2R7L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHSM5832ER2R7L-FT |
7440320018
Wurth Electronics Inc.
744032002
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
744032150
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel