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Référence fabricant | IHLP6767DZER2R2M11 |
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Numéro de pièce future | FT-IHLP6767DZER2R2M11 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHLP-6767DZ-11 |
IHLP6767DZER2R2M11 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 26A |
Courant - Saturation | 19A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 5.03 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.675" L x 0.675" W (17.15mm x 17.15mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.157" (4.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHLP6767DZER2R2M11 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHLP6767DZER2R2M11-FT |
ILSB1206ERR12K
Vishay Dale
ILSB1206ERR15K
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ILSB1206ERR47K
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IHLP1616BZER1R0M11
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IHLP1616BZER2R2M01
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IHLP1616BZER4R7M11
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel