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Référence fabricant | IHLP6767DZER100M11 |
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Numéro de pièce future | FT-IHLP6767DZER100M11 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHLP-6767DZ-11 |
IHLP6767DZER100M11 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 12A |
Courant - Saturation | 8A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 18.92 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.675" L x 0.675" W (17.15mm x 17.15mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.157" (4.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHLP6767DZER100M11 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHLP6767DZER100M11-FT |
ILSB1206ER3R9K
Vishay Dale
ILSB1206ER47NM
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel