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Référence fabricant | IHLP1616ABER1R2M11 |
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Numéro de pièce future | FT-IHLP1616ABER1R2M11 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHLP-1616AB-11 |
IHLP1616ABER1R2M11 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.75A |
Courant - Saturation | 3.75A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 58.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 62MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.175" L x 0.160" W (4.45mm x 4.06mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHLP1616ABER1R2M11 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHLP1616ABER1R2M11-FT |
IMC1210SY56NM
Vishay Dale
IMC1210SY5R6J
Vishay Dale
IMC1210SY5R6K
Vishay Dale
IMC1210SY680J
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IMC1210SY680K
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IMC1210SY68NJ
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IMC1210SY68NK
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IMC1210SY68NM
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IMC1210SY6R8J
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IMC1210SY6R8K
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
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EP3C40F324C8N
Intel