maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IHD10N60RA
Référence fabricant | IHD10N60RA |
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Numéro de pièce future | FT-IHD10N60RA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchStop® |
IHD10N60RA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | Trench |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 20A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 30A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 10A |
Puissance - Max | 110W |
Énergie de commutation | 270µJ |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 62nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | -/170ns |
Condition de test | 400V, 10A, 23 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD10N60RA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHD10N60RA-FT |
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XC3S700A-5FGG400C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA5K2F35I3LN
Intel
5SGXMA4H2F35I2LN
Intel
M1AGL1000V5-CS281I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG100M
Microsemi Corporation